時間:2016-06-24 14:38:45 閱讀:7332 來源:
2016年6月24日,科技部高技術中心對外發布了,國家重點研發計劃“納米科技”重點專項的2016年度項目布局。太赫茲研究院參與申報的CMOS兼容的太赫茲源,探測和陣列成像項目,獲得科技部審批通過。課題名稱“THz成像儀關鍵工藝技術及測試技術”,課題編號2016YFA0202204。
項目的參與單位有中國科學院上海技術物理研究所、中國科學院半導體研究所、天津大學、華訊方舟科技有限公司太赫茲研究院。項目團隊集中了國內太赫茲領域的優勢團隊(院士3人、杰青4人、長江1人、國家千人1人、IEEE Fellow 2人、百人計劃4人、青年千人2人),依托“半導體超晶格國家重點實驗室(吳南健團隊)”、“集成光電子學國家重點實驗室(陳弘達團隊)”、“紅外物理國家重點實驗室(戴寧團隊)”、“成像與感知微電子系統天津市重點實驗室(馬建國任主任)”和“深圳市太赫茲科技創新研究院(劉盛綱院士任院長)”開展項目研究。項目自2017年01月—2021年12月,共 60月,項目采用CMOS/BiCMOS 工藝來實現太赫茲源、探測和陣列成像,圍繞室溫CMOS 兼容工藝的太赫茲成像儀這樣一個重要應用目標,開展從基礎研究到應用研究全產業鏈條研發,通過一系列的創新使我國在室溫CMOS太赫茲成像儀領域進入國際一流行列。